طراحی و ساخت حسگر میدان مغناطیسی بر مبنای اثر مغناطوامپدانس غول آسا با استفاده از میکروسیم آلیاژی پایه کبالت co68.15fe4.35si12.5b15

اخیراً توسعه حسگرهای مغناطیسی پرکاربرد از زمان کشف اثر معروف به مغناطوامپدانس غول آسا در مواد فرومغناطیس نانوبلوری و بی شکل، اهمیت زیادی پیدا کرده است. تغییرات زیاد امپدانس متناوب (ac) مواد مغناطیسی نرم، هنگامی که این مواد تحت تاثیر میدان مغناطیسی مستقیم (dc)باشند را اثر مغناطوامپدانس غول آسا می نامند. این پدیده صرفاً کلاسیکی است و به جز اثرات کوانتومی در مغناطیس، هیچ اثر کوانتومی دیگری دیده نمی شود. اثر مغناطوامپدانس غول آسا بر پایه تأثیر میدان مغناطیسی خارجی بر پاسخ مغناطیسی ماده و در نتیجه بر امپدانس آن بنا شده است. در این پژوهش یک حسگر مغناطیسی بر مبنای اثر مغناطو امپدانس غول آسا طراحی کردیم. از سیم مغناطیسی بی شکل co68.15fe4.35si12.5b15 که به روش ذوبی- چرخشی در کشور انگلستان ساخته شده، استفاده کردیم. وابستگی اثر مغناطو امپدانس غول آسا به میدان مغناطیس اعمالی در حالت های تک سیم و دو سیم موازی، در فرکانس های متوسط بررسی شده است. نتایج نشان دادند که در فرکانس های اندازه گیری شده، به دلیل ایجاد جریان های گردابی، تراوایی مغناطیسی کاهش می یابد و اثر مخرب روی gmi دارد. همان طور که انتظار می رود، نتایج آزمایش نشان دادند منحنی gmiبه یک بیشینه رسیده و سپس به دلیل جریان گردابی کاهش می یابد.